MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A8G165WG-BCWE 对比

详细并排对比 MT40A512M16LY-062E AAT:E 出自 Micron Technology 和 K4A8G165WG-BCWE 出自 Samsung Electro-Mechanics。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ 量产中
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ 量产中

规格对比

参数 MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A8G165WG-BCWE
品牌 Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $9.20 $29.53
存储器类型 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
存储容量 8 Gbit (1 GB) 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
接口 Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
电源电压 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
封装 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
数据速率 — 3200 Mbps
工作温度范围 — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Lead-Free — Yes
生命周期状态 — Active

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